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参数资料
| 型号： | W9825G6JH-6I |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 16/43页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SDRAM 256MBIT 54TSOPII |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SDRAM |
| 存储容量： | 256M（16Mx16） |
| 速度： | 166MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 54-TSOP II |
| 包装： | 托盘 |
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W9825G6JH
9.5
AC Characteristics and Operating Condition
(V DD = 3.3V ± 0.3V, T A = 0 to 70°C for -5/-6/-6L/-75/75L, T A = -40 to 85°C for -5I/-6I/-6A, T A / T CASE = -40 to 105°C for -6K)
PARAMETER
Ref/Active to Ref/Active Command
Period
SYM.
t RC
-5/-5I
MIN. MAX.
55
MIN.
60
-6
MAX.
-6I/-6A/-6K/-6L
MIN. MAX.
60
-75/75L
MIN. MAX.
65
UNIT NOTES
Active to precharge Command Period
t RAS
40
100000
42
100000
42
100000
45
100000
nS
Active to Read/Write Command Delay
Time
t RCD
15
15
18
20
Read/Write(a) to Read/Write(b)
Command Period
Precharge to Active Command Period
Active(a) to Active(b) Command
Period
t CCD
t RP
t RRD
1
15
2
1
15
2
1
18
2
1
20
2
t CK
nS
t CK
Write Recovery Time
CL* = 2
CL* = 3
t WR
2
2
2
2
2
2
2
2
t CK
CLK Cycle Time
CL* = 2
CL* = 3
t CK
7.5
5
1000
1000
7.5
6
1000
1000
7.5
6
1000
1000
10
7.5
1000
1000
CLK High Level width
CLK Low Level width
t CH
t CL
2
2
2
2
2
2
2.5
2.5
8
8
Access Time from CLK
Output Data Hold Time
Output Data High
Impedance Time
CL* = 2
CL* = 3
CL* = 2
CL* = 3
t AC
t OH
t HZ
3
6
5
5.4
5
3
6
5
5.4
5.4
3
6
5
5.4
5.4
3
6
5.4
6
5.4
9
9
7
7
Output Data Low Impedance Time
t LZ
0
0
0
0
9
Power Down Mode Entry Time
t SB
0
6
0
7
0
7
0
7.5
nS
Transition Time of CLK (Rise and Fall)
t T
1
1
1
1
Data-in Set-up Time
Data-in Hold Time
Address Set-up Time
Address Hold Time
CKE Set-up Time
CKE Hold Time
Command Set-up Time
Command Hold Time
t DS
t DH
t AS
t AH
t CKS
t CKH
t CMS
t CMH
1.5
1.0
1.5
1.0
1.5
1.0
1.5
1.0
1.5
0.8
1.5
0.8
1.5
0.8
1.5
0.8
1.5
0.8
1.5
0.8
1.5
0.8
1.5
0.8
1.5
1.0
1.5
1.0
1.5
1.0
1.5
1.0
8
8
8
8
8
8
8
8
Refresh
Time
-4 0°C ≤ T A / T CASE ≤ 85°C
85°C < T A / T CASE ≤ 105°C
t REF
t REFA*
64
--
64
--
64
16
64
--
mS
Mode register Set Cycle Time
Exit self refresh to ACTIVE command
t RSC
t XSR
2
70
2
72
2
72
2
75
t CK
nS
* CL = CAS Latency
* t REFA refresh time spec defined for -6K grade, -5/-5I/-6/-6I/-6A/-6L/-75/75L grades 85°C < T A / T CASE ≤ 105°C is not available.
Publication Release Date: Mar. 13, 2014
- 16 -
Revision: A09
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| W986408CH-8H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:x8 SDRAM |
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