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参数资料
| 型号： | W9825G6JH-6I |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 36/43页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SDRAM 256MBIT 54TSOPII |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SDRAM |
| 存储容量： | 256M（16Mx16） |
| 速度： | 166MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 54-TSOP II |
| 包装： | 托盘 |
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W9825G6JH
11.15 Auto-precharge Timing (Read Cycle)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
(1) CAS Latency=2
( a ) burst length = 1
Command
Read
AP
Act
t RP
DQ
( b ) burst length = 2
Q0
Command
Read
AP
Act
t RP
DQ
( c ) burst length = 4
Q0
Q1
Command
Read
AP
Act
t RP
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
( d ) burst length = 8
Command
Read
AP
t RP
Act
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
(2) CAS Latency=3
( a ) burst length = 1
Command
Read
AP
Act
t RP
DQ
( b ) burst length = 2
Q0
Command
Read
AP
Act
t RP
DQ
( c ) burst length = 4
Q0
Q1
Command
Read
AP
Act
t RP
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
( d ) burst length = 8
Command
Read
AP
Act
t RP
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
Note:
Read
AP
Act
represents the Read with Auto precharge command.
represents the start of internal precharging.
represents the Bank Activ ate command.
When the Auto precharge command is asserted, the period f rom Bank Activ ate command to
t
the start of internal precgarging must be at least RAS (min).
Publication Release Date: Mar. 13, 2014
- 36 -
Revision: A09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W9864G6JH-6I | IC SDRAM 64MBIT 54TSOPII |
| WM-5614 | CABINET WALL MOUNT 37.25X17.9" |
| WRR-2244 | RACK WALL MOUNT RELAY 42" X 19" |
| WRR-2264 | RACK WALL MOUNT 75.25" X 19" |
| X28C512JIZ-12 | IC EEPROM 512KBIT 120NS 32PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W986408CH | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2M x 8BIT x 4 BANKS SDRAM |
| W986408CH-75 | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:x8 SDRAM |
| W986408CH-8H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:x8 SDRAM |
| W986416CH | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1M x 16 BIT x 4 BANKS SDRAM |
| W986416CH-6 | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:x16 SDRAM |
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