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参数资料
| 型号： | W9864G6EB-7 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA60 |
| 封装： | 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-60 |
| 文件页数： | 18/47页 |
| 文件大小： | 1136K |
| 代理商： | W9864G6EB-7 |
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W986416EB/W9864G6EB
Publication Release Date: Sep. 23, 2005
- 25 -
Revision P06
Operating Timing Example, continued
16.2 Interleaved Bank Read (Burst Length = 4, CAS Latency = 3, Autoprecharge)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
(CLK = 100 MHz)
CLK
CKE
DQM
A0-A9
A10
BS1
WE
CAS
RAS
CS
BS0
tRC
tRAS
tRP
tRAS
tRP
tRAS
tRP
tRAS
tRCD
tAC
tRRD
Active
Read
Active
Read
Active
Read
tRC
RAa
RAc
RBd
RAe
DQ
aw0
aw1
aw2
aw3
bx0
bx1
bx2
bx3
cy0
cy1
cy2
cy3
dz0
* AP is the internal precharge start timing
Bank #0
Idle
Bank #1
Bank #2
Bank #3
AP*
RAa
CAw
RBb
CBx
RAc
CAy
RBd
RAe
CBz
RBb
AP*
tRCD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| WS128K32-35G2TMEA | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68 |
| WS128K32-55G2TIE | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 55 ns, CQFP68 |
| WS128K32-35G2TIE | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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