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参数资料
| 型号： | W9864G6EB-7 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA60 |
| 封装： | 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-60 |
| 文件页数： | 6/47页 |
| 文件大小： | 1136K |
| 代理商： | W9864G6EB-7 |
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W986416EB/W9864G6EB
- 14 -
9.
ABSOLUTE MAXIMUM RATING
PARAMETER
SYM.
RATING
UNIT
NOTES
Input, Column Output Voltage
VIN, VOUT
-0.3
VCC +0.3
V
1
Power Supply Voltage
VCC, VCCQ
-0.3
4.6
V
1
Operating Temperature(-7)
TOPR
0
70
°
C
1
Operating Temperature(-7E)
TOPR
-25
85
°
C
1
Storage Temperature
TSTG
-55
150
°
C
1
Soldering Temperature (10s)
TSOLDER
260
°
C
1
Power Dissipation
PD
1
W
1
Short Circuit Output Current
IOUT
50
mA
1
Note:
Exposure to conditions beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may adversely affect the life and reliability
of the device.
10. RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
(TA = 0 to 70°C for -7, TA =-25 to 85°C for -7E)
PARAMETER
SYM.
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
NOTES
Supply Voltage (Normal operation)
VCC
2.7
3.3
3.6
V
2
Supply Voltage for I/O Buffer
VCCQ
2.7
3.3
3.6
V
2
Input High Voltage
VIH
2.0
-
VCC +0.3
V
2
Input Low Voltage
VIL
-0.3
-
0.8
V
2
Note:
VIH (max.) = VCC/VCCQ+1.2V for pulse width < 5 nS
VIL (min.) = VSS/VSSQ-1.2V for pulse width < 5 nS
11. CAPACITANCE
(VCC = 2.7~3.3V, TA = 25
°C, f = 1 MHz)
PARAMETER
SYM.
MIN.
MAX.
UNIT
Input Capacitance
(A0 to A11, BS0, BS1, CS , RAS , CAS , WE , , CKE)
Ci1
2.5
4
pf
Input Capacitance (CLK)
CCLK
2.5
4
pf
Input/Output Capacitance (DQ0
DQ15)
Co
4
6.5
pf
Input Capacitance DQM
Ci2
3.0
5.5
pf
Note:
These parameters are periodically sampled and not 100% tested
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PDF描述 |
|---|---|
| WE128K8200CQ | 128K X 8 EEPROM 5V MODULE, 200 ns, CDIP32 |
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| WS128K32-35G2TMEA | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68 |
| WS128K32-55G2TIE | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 55 ns, CQFP68 |
| WS128K32-35G2TIE | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68 |
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参数描述 |
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| W9864G6GH | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 16 BITS SDRAM |
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