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参数资料
| 型号： | W9864G6IH-6A |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 38/44页 |
| 文件大小： | 666K |
| 代理商： | W9864G6IH-6A |
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W9864G6IH
Publication Release Date: Mar. 22, 2010
- 43 -
Revision A11
13. REVISION HISTORY
VERSION
DATE
PAGE
DESCRIPTION
A01
Dec. 12, 2007
All
Initial formal data sheet
A02
Dec. 24, 2007
3, 4,
13~15
Remove -6I grade parts
13
Revise overshoot/undershoot pulse width
Before VIH (max.) = VCC/VCCQ +1.2V for pulse width < 5 nS
After VIH (max.) = VCC/VCCQ +1.2V for pulse width < 3 nS
Before VIL (min.) = VSS/VSSQ -1.2V for pulse width < 5 nS
After VIL (min.) = VSS/VSSQ -1.2V for pulse width < 3 nS
A03
Jan. 29, 2008
3, 4, 15
Revise -7/-7S parts AC parameter CLK cycle time of CL2
tCK value from 7nS to 7.5nS
A04
Feb. 26, 2008
15
Revise -6 part AC parameter Access Time from CLK of
CL2 tAC value from 5.5nS to 6nS
13
Revise overshoot/undershoot pulse width
Before VIH (max.) = VCC/VCCQ +1.2V for pulse width < 3 nS
After VIH (max.) = VCC/VCCQ +1.5V for pulse width < 5 nS
Before VIL (min.) = VSS/VSSQ -1.2V for pulse width < 3 nS
After VIL (min.) = VSS/VSSQ -1.5V for pulse width < 5 nS
A05
Mar. 28, 2008
15
Revise AC parameter CLK cycle time of CL2 tCK value
from 7.5nS to 10nS
A06
Jul. 10, 2008
3, 4,
13~15
Add -6I grade parts
A07
Aug. 01, 2008
42
Update 54L TSOP (II) package drawing and dimensions
A08
Sep. 11, 2008
3, 15
Revise -7 parts AC parameter tRP value from 20nS to 18nS
13
Revise Input/Output Voltage and Power Supply Voltage
spec. in section 9.1 Absolute Maximum Ratings table
A09
Jul. 10, 2009
15
Revise -6 parts tRP and tRCD value from 18nS to 15nS
A10
Aug. 10, 2009
15
Revise -6I parts tRP and tRCD value from 18nS to 15nS
A11
Mar. 22, 2010
3, 4,
13~15
Add -6A Automotive grade parts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WS128K32V-20HM | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 20 ns, HIP66 |
| WS128K32V-25HS | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 25 ns, HIP66 |
| WS128K32V-25G4Q | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 25 ns, QMA68 |
| WMD4M4-100FPM | 4M X 4 FAST PAGE DRAM, 100 ns, CDFP24 |
| WMF256K8-120DEI5 | 256K X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, CDSO32 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W9864G6IH-6I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 4Mx16 3.3V |
| W9864G6IH-7 | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1M 】 4BANKS 】 16BITS SDRAM |
| W9864G6IH-7S | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1M 】 4BANKS 】 16BITS SDRAM |
| W9864G6JB-6 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 60VFBGA |
| W9864G6JH | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1M ? 4 BANKS ? 16 BITS SDRAM |
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