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参数资料
| 型号： | W9864G6IH-6A |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 6/44页 |
| 文件大小： | 666K |
| 代理商： | W9864G6IH-6A |
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W9864G6IH
Publication Release Date: Mar. 22, 2010
- 14 -
Revision A11
9.4 DC Characteristics
(VDD = 3V±0.3V for-5/-6 ,VDD = 2.7V-3.6V for -7/-7S on TA = 0 to 70°C, VDD =3V±0.3V for -6I/-6A on TA = -40 to 85°C)
MAX.
PARAMETER
SYM.
-5
-6/-6I/-6A
-7/-7S
UNIT
NOTES
Operating Current
tCK = min., tRC = min.
Active precharge command
cycling without burst operation
1 Bank Operation
IDD1
100
90
80
3
Standby Current
tCK = min., CS = VIH
VIH/L = VIH (min.)/VIL (max.)
CKE = VIH
IDD2
40
35
30
3
Bank: Inactive State
CKE = VIL
(Power Down mode)
IDD2P
2
3
Standby Current
CLK = VIL, CS = VIH
VIH/L=VIH (min.)/VIL (max.)
CKE = VIH
IDD2S
15
Bank: Inactive State
CKE = VIL
(Power Down mode)
IDD2PS
2
mA
No Operating Current
tCK = min., CS = VIH (min.)
CKE = VIH
IDD3
65
60
55
Bank: Active State (4 Banks)
CKE = VIL
(Power Down mode)
IDD3P
15
Burst Operating Current
(tCK = min.)
Read/Write command cycling
IDD4
180
165
145
3, 4
Auto Refresh Current
(tCK = min.)
Auto refresh command cycling
IDD5
160
140
120
3
Self Refresh Current
Self refresh mode
(CKE = 0.2V)
IDD6
2
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
NOTES
Input Leakage Current
(0V
≤ VIN ≤ VDD, all other pins not under test = 0V)
II(L)
-5
5
A
Output Leakage Current
(Output disable, 0V
≤ VOUT ≤ VDDQ)
lO(L)
-5
5
A
LVTTL Output “H” Level Voltage
(IOUT = -2 mA)
VOH
2.4
-
V
LVTTL Output “L” Level Voltage
(IOUT = 2 mA)
VOL
-
0.4
V
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