参数资料
型号: ZXM66P02N8TC
厂商: Diodes Inc
文件页数: 3/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CHAN 20V 8SOIC
标准包装: 2,500
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 25 毫欧 @ 3.2A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 700mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 43.3nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2068pF @ 15V
功率 - 最大: 1.56W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOP
包装: 带卷 (TR)
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXM66P02N8
Typical Characteristics
10
T = 25°C
10V
4.5V
2.5V
10
10V
4.5V
2.5V
T = 150°C
2V
2V
1
1
1.5V
-V GS
1.5V
0.1
1V
-V GS
0.1
0.1 1
-V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
0.01
1.6
0.1 1 10
-V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS = -4.5V
1
0.1
T = 150°C
T = 25°C
1.4
1.2
1.0
I D = - 3.2A
R DS(on)
0.01
-V DS = 10V
0.8
0.6
V GS = V DS
I D = -250uA
V GS(th)
1E-3
500.0m
1.0
1.5
2.0
-50
0
50
100
150
-V GS Gate-Source Voltage (V)
Typical Transfer Characteristics
Tj Junction Temperature (°C)
Normalised Curves v Temperature
-V GS
1.5V
2V
T = 25°C
10
1
1
T = 150°C
0.1
2.5V
4.5V
0.1
0.01
T = 25°C
10V
0.01
0.1 1 10
-I D Drain Current (A)
On-Resistance v Drain Current
ZXM66P02N8
Document Number DS31965 Rev. 2 - 2
1E-3
0.2 0.4 0.6 0.8
-V SD Source-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
3 of 5
www.diodes.com
1.0
October 2009
? Diodes Incorporated
相关PDF资料
PDF描述
ZXM66P03N8TA MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC
ZXMC10A816N8TC MOSFET DUAL COMPL 100V 8-SOIC
ZXMC3A16DN8TA MOSFET N+P 30V 5.4A 8SOIC
ZXMC3A17DN8TC MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC
ZXMC3A18DN8TA MOSFET N-CH/P-CH 30V 8-SOIC
相关代理商/技术参数
参数描述
ZXM66P03N8 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM66P03N8(1) 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:
ZXM66P03N8TA 功能描述:MOSFET 30V P-Chnl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXM66P03N8TC 功能描述:MOSFET 30V P Chnl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXMC10A816DN8TC 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: