型号: | ZXM66P03N8TA |
厂商: | Diodes Inc |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC |
产品目录绘图: | SO-8 |
其它图纸: | SO-8 Single Pin Out |
标准包装: | 1 |
FET 型: | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 6.25A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 25 毫欧 @ 5.6A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 36nC @ 5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 1979pF @ 25V |
功率 - 最大: | 1.56W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装: | 8-SO |
包装: | 标准包装 |
产品目录页面: | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称: | ZXM66P03N8DKR |