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参数资料
| 型号： | ZXM66P03N8TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | SO-8 |
| 其它图纸： | SO-8 Single Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.25A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 5.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1979pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.56W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXM66P03N8DKR |
ZXM66P03N8
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate- Source Voltage
Continuous Drain Current V GS =-10V; T A =25°C(b)
V GS =-10V; T A =70°C(b)
V GS =-10V; T A =25°C(a)
Pulsed Drain Current (c)
Continuous Source Current (Body Diode)(b)
Pulsed Source Current (Body Diode)(c)
Power Dissipation at T A =25°C (a)
Linear Derating Factor
Power Dissipation at T A =25°C (b)
Linear Derating Factor
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DSS
V GS
ID
I DM
IS
I SM
PD
PD
T j :T stg
LIMIT
-30
± 20
-7.9
-6.3
-6.25
-28
-4.1
-28
1.56
12.5
2.5
20
-55 to +150
UNIT
V
V
A
A
A
A
W
mW/°C
W
mW/°C
°C
THERMAL RESISTANCE
PARAMETER
Junction to Ambient (a)
Junction to Ambient (b)
SYMBOL
R θ JA
R θ JA
VALUE
80
50
UNIT
°C/W
°C/W
NOTES
(a) For a device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air conditions
(b) For a device surface mounted on FR4 PCB measured at t 10 secs.
(c) Repetitive rating 25mm x 25mm FR4 PCB, D = 0.05, pulse width 10 s - pulse width limited by maximum junction temperature.
ISSUE 1 - JANUARY 2006
SEMICONDUCTORS
2
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| ZXM66P03N8TC | 功能描述:MOSFET 30V P Chnl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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