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参数资料
| 型号： | ZXMC10A816N8TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL COMPL 100V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 497pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1475 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMC10A816N8DIDKR |
ZXMC10A816N8
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
SO-8
Dim
A
Min
-
Max
1.75
E1 E
A1
L
Gauge Plane
Seating Plane
A1
A2
A3
b
0.10
1.30
0.15
0.3
0.20
1.50
0.25
0.5
Detail ‘A’
D
E
4.85
5.90
4.95
6.10
e
b
A2 A A3
h
45 °
7 °~ 9 °
Detail ‘A’
E1 3.85 3.95
e 1.27 Typ
h - 0.35
L 0.62 0.82
?? 0 ? 8 ?
All Dimensions in mm
D
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
X
Dimensions
X
Y
Value (in mm)
0.60
1.55
C2
Y
ZXMC10A816N8
Document number: DS33497 Rev. 2 - 2
C1
10 of 11
www.diodes.com
C1
C2
5.4
1.27
March 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMC3A16DN8TA | MOSFET N+P 30V 5.4A 8SOIC |
| ZXMC3A17DN8TC | MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC |
| ZXMC3A18DN8TA | MOSFET N-CH/P-CH 30V 8-SOIC |
| ZXMC3AM832TA | MOSFET N+P 30V 2.7A 8MLP 3 X 2 |
| ZXMC3AMCTA | MOSFET N+P 30V 2.9A/2.1A DFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMC3A16DN8 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMC3A16DN8_05 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMC3A16DN8TA | 功能描述:MOSFET N and P Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMC3A16DN8TC | 功能描述:MOSFET Cmp 30V NP Ch UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMC3A17DN8 | 功能描述:MOSFET N and P Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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