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参数资料
| 型号： | ZXMC10A816N8TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL COMPL 100V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 497pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1475 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMC10A816N8DIDKR |
ZXMC10A816N8
Typical Characteristics Q2 P-Channel (cont.)
10
1000
800
600
C ISS
V GS = 0V
f = 1MHz
8
6
I D = -2.1A
400
200
C OSS
C RSS
4
2
V DS = -50V
0
0.1
1 10
-V DS - Drain - Source Voltage (V)
100
0
0
2
4
6 8 10 12
Q - Charge (nC)
14
16
18
Capacitance v Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage v Gate Charge
Test Circuits
Current
regulator
Q G
12V
0.2 F
50k
Same as
D.U.T
V G
Q GS
Q GD
Charge
I G
V GS
D.U.T
V DS
I D
Basic gate charge waveform
V DS
Gate charge test circuit
90%
10%
R G
V GS
R D
V DS
V DD
V GS
Pulse width
1 S
Duty factor 0.1%
t r
t (on)
t d(off)
t r
t (on)
t d(on)
Switching time waveforms
Switching time test circuit
ZXMC10A816N8
Document number: DS33497 Rev. 2 - 2
9 of 11
www.diodes.com
March 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMC3A16DN8TA | MOSFET N+P 30V 5.4A 8SOIC |
| ZXMC3A17DN8TC | MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC |
| ZXMC3A18DN8TA | MOSFET N-CH/P-CH 30V 8-SOIC |
| ZXMC3AM832TA | MOSFET N+P 30V 2.7A 8MLP 3 X 2 |
| ZXMC3AMCTA | MOSFET N+P 30V 2.9A/2.1A DFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMC3A16DN8 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMC3A16DN8_05 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMC3A16DN8TA | 功能描述:MOSFET N and P Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMC3A16DN8TC | 功能描述:MOSFET Cmp 30V NP Ch UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMC3A17DN8 | 功能描述:MOSFET N and P Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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