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参数资料
| 型号： | ZXMC10A816N8TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL COMPL 100V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 497pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1475 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMC10A816N8DIDKR |
ZXMC10A816N8
Typical Characteristics Q2 P-Channel
10
T = 25°C
10V
5V
4.5V
10
T = 150°C
10V
5V
4.5V
4V
1
0.1
4V
3.5V
-V GS
0.1 1 10
-V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1
0.1
0.01
3.5V
3V
-V GS
0.1 1 10
-V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
2.0
T = 150°C
1.8
1.6
V GS = -10V
I D = - 2.1A
R DS(on)
1.4
1
T = 25°C
1.2
1.0
V GS(th)
-V DS = 10V
0.8
0.6
V GS = V DS
I D = -250uA
3.0
3.5 4.0 4.5
-V GS Gate-Source Voltage (V)
5.0
-50
0 50 100
Tj Junction Temperature (°C)
150
Typical Transfer Characteristics
Normalised Curves v Temperature
-V GS
3.5V
T = 25°C
10
10
4V
4.5V
5V
1
0.1
T = 150°C
T = 25°C
1
7V
0.01
0.1
0.1 1 10
-I D Drain Current (A)
On-Resistance v Drain Current
10V
1E-3
0.2 0.4 0.6 0.8
-V SD Source-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
1.0
ZXMC10A816N8
Document number: DS33497 Rev. 2 - 2
8 of 11
www.diodes.com
March 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| ZXMC3A16DN8TC | 功能描述:MOSFET Cmp 30V NP Ch UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMC3A17DN8 | 功能描述:MOSFET N and P Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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