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参数资料
| 型号： | ZXMHC6A07N8TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET COMPL H-BRIDGE 60V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥式） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.39A，1.28A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 250 毫欧 @ 1.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 166pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 870mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMHC6A07N8DIDKR |
ZXMHC6A07N8
P-channel electrical characteristics (at T amb = 25°C unless otherwise stated)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Static
Drain-Source breakdown
voltage
Zero Gate voltage Drain
current
Gate-Body leakage
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
-60
-0.5
± 100
V
μA
nA
I D = -250 μ A, V GS = 0V
V DS = -60V, V GS = 0V
V GS = ± 20V, V DS = 0V
Gate-Source threshold
voltage
V GS(th)
-1.0
-3.0
V
I D = -250 μ A, V DS = V GS
Static Drain-Source
on-state resistance
(a)
R DS(on)
0.40
0.60
?
V GS = -10V, I D = -0.9A
V GS = -4.5V, I D = -0.8A
Forward
Transconductance
(a) (c)
g fs
1.8
S
V DS = -15V, I D = -0.9A
Dynamic
Capacitance
(c)
Input capacitance
C iss
141
pF
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
C oss
C rss
13.1
10.8
pF
pF
V DS = -50V, V GS = 0V
f= 1MHz
Switching
(b) (c)
Turn-on-delay time
t d(on)
1.6
ns
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
t r
t d(off)
t f
2.3
13
5.8
ns
ns
ns
V DD = -30V, V GS = -10V
I D = -1.0A
R G ? 6.0 Ω
Gate charge
(c)
Total Gate charge
Q g
5.1
nC
Gate-Source charge
Gate-Drain charge
Q gs
Q gd
0.7
0.7
nC
nC
V DS = -30V, V GS = -10V
I D = -0.9A
Source–Drain diode
Diode forward voltage
(a)
V SD
-0.85
-0.95
V
I S = -0.8A, V GS = 0V
(c)
Reverse recovery time
(c)
Reverse recovery charge
t rr
Q rr
22.6
23.2
ns
nC
I S = -0.9A, di/dt= 100A/ μ s
NOTES:
(a) Measured under pulsed conditions. Pulse width ≤ 300 μ s; duty cycle ≤ 2%.
(b) Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
(c) For design aid only, not subject to production testing
Issue 1.0 - March 2009
? Diodes Incorporated
7
www.diodes.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMHC6A07T8TA | MOSFET H-BRIDGE N/P-CH 60V SM8 |
| ZXMHN6A07T8TA | MOSFET N-CHAN 60V 1.6A SOT223-8 |
| ZXMN0545G4TA | MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223 |
| ZXMN10A07FTC | MOSFET N-CHAN 100V SOT23-3 |
| ZXMN10A07ZTA | MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMHC6A07T8 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE |
| ZXMHC6A07T8(1) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| ZXMHC6A07T8(2) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| ZXMHC6A07T8_05 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE |
| ZXMHC6A07T8TA | 功能描述:MOSFET 60V UMOS H-Bridge RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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