参数资料
型号: ZXMHC6A07N8TC
厂商: Diodes Inc
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文件大小: 0K
描述: MOSFET COMPL H-BRIDGE 60V 8-SOIC
标准包装: 1
FET 型: 2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥式)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.39A,1.28A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 250 毫欧 @ 1.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 166pF @ 40V
功率 - 最大: 870mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOP
包装: 标准包装
产品目录页面: 1474 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: ZXMHC6A07N8DIDKR
ZXMHC6A07N8
P-channel typical characteristics –continued
10
300
200
100
C RSS
C ISS
C OSS
V GS = 0V
f = 1MHz
8
6
4
2
I D = -0.9A
V DS = -30V
0
0.1
1
10
0
0
1
2
3
4
5
6
-V DS - Drain - Source Voltage (V)
Capacitance v Drain-Source Voltage
Q - Charge (nC)
Gate-Source Voltage v Gate Charge
Test circuits
Current
regulator
Q G
12V
0.2 F
50k
Same as
D.U.T
V G
Q GS
Q GD
Charge
I G
V GS
D.U.T
V DS
I D
Basic gate charge waveform
V DS
Gate charge test circuit
90%
10%
R G
V GS
R D
V DS
V DD
V GS
Pulse width
1 S
Duty factor 0.1%
t r
t (on)
t d(off)
t r
t (on)
t d(on)
Switching time waveforms
Switching time test circuit
Issue 1.0 - March 2009
? Diodes Incorporated
9
www.diodes.com
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PDF描述
ZXMHC6A07T8TA MOSFET H-BRIDGE N/P-CH 60V SM8
ZXMHN6A07T8TA MOSFET N-CHAN 60V 1.6A SOT223-8
ZXMN0545G4TA MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223
ZXMN10A07FTC MOSFET N-CHAN 100V SOT23-3
ZXMN10A07ZTA MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89
相关代理商/技术参数
参数描述
ZXMHC6A07T8 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
ZXMHC6A07T8(1) 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:
ZXMHC6A07T8(2) 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:
ZXMHC6A07T8_05 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
ZXMHC6A07T8TA 功能描述:MOSFET 60V UMOS H-Bridge RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube