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参数资料
| 型号： | ZXMHC6A07N8TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET COMPL H-BRIDGE 60V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥式） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.39A，1.28A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 250 毫欧 @ 1.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 166pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 870mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMHC6A07N8DIDKR |
ZXMHC6A07N8
P-channel typical characteristics
10
T = 25°C
10V
4.5V
10
T = 150°C
10V
5V 4.5V
3.5V
3.5V
1
0.1
3V
2.5V
2V
-V GS
1
0.1
3V
2.5V
2V
1.5V
-V GS
0.01
0.1 1 10
-V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1.8
0.1 1 10
-V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1.6
V GS = -10V
I D = -0.9A
1
T = 150°C
1.4
R DS(on)
1.2
1.0
V GS(th)
0.1
T = 25°C
-V DS = 10V
0.8
V GS = V DS
I D = -250uA
0.6
1
2
3
4
5
-50
0
50
100
150
-V GS Gate-Source Voltage (V)
Typical Transfer Characteristics
Tj Junction Temperature (°C)
Normalised Curves v Temperature
1.5V
-V GS
2V
2.5V
3V
3.5V
4V
T = 25°C
5V
10
1
T = 150°C
T = 25°C
1
0.1 1 10
-I D Drain Current (A)
On-Resistance v Drain Current
7V
10V
0.1
0.01
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
-V SD Source-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Issue 1.0 - March 2009
? Diodes Incorporated
8
www.diodes.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMHC6A07T8TA | MOSFET H-BRIDGE N/P-CH 60V SM8 |
| ZXMHN6A07T8TA | MOSFET N-CHAN 60V 1.6A SOT223-8 |
| ZXMN0545G4TA | MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223 |
| ZXMN10A07FTC | MOSFET N-CHAN 100V SOT23-3 |
| ZXMN10A07ZTA | MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMHC6A07T8 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE |
| ZXMHC6A07T8(1) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| ZXMHC6A07T8(2) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| ZXMHC6A07T8_05 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE |
| ZXMHC6A07T8TA | 功能描述:MOSFET 60V UMOS H-Bridge RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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