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参数资料
| 型号： | ZXMN3AMCTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 190pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN（3x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | ZXMN3AMCTADKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMN3AMC
Thermal Characteristics
2.0
10
R DS(on)
Limited
10 sq cm 1oz Cu
Two active die
1
1.5
8 sq cm 2oz Cu
One active die
100m
DC
1s
100ms
8 sq cm 2oz Cu
10ms
1ms 100us
1.0
0.5
10 sq cm 1oz Cu
One active die
One active die
10m
Single Pulse, T amb =25°C
0.0
1
10
0
25
50
75
100
125
150
V DS Drain-Source Voltage (V)
Safe Operating Area
225
Temperature (°C)
Derating Curve
80
60
8 sq cm 2oz Cu
One active die
200
175
150
1oz Cu
One active die
1oz Cu
Two active die
40
D=0.5
125
100
20
0
D=0.2
Single Pulse
D=0.05
D=0.1
75
50
25
0
2oz Cu
One active die
2oz Cu
Two active die
100μ
1m
10m 100m
1
10
100
1k
0.1
1
10
100
3.5
Pulse Width (s)
Transient Thermal Impedance
Board Cu Area (sqcm)
Thermal Resistance v Board Area
3.0
2.5
2.0
T amb =25°C
T j max =150°C
Continuous
2oz Cu
2oz Cu
Two active die
One active die
1.5
1.0
0.5
0.0
1oz Cu
One active die
1oz Cu
Two active die
0.1
1
10
100
Board Cu Area (sqcm)
Power Dissipation v Board Area
ZXMN3AMC
Document number: DS35087 Rev. 1 - 2
3 of 8
www.diodes.com
December 2010
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMN3B01FTA | MOSFET N-CHAN 30V 2A SOT23-3 |
| ZXMN3B04N8TC | MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC |
| ZXMN3B14FTA | MOSFET N-CHAN 30V 3.5A SOT23-3 |
| ZXMN3F30FHTA | MOSFET N-CHAN 30V SOT23-3 |
| ZXMN3F31DN8TA | MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN3B01F | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE |
| ZXMN3B01FTA | 功能描述:MOSFET 30V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN3B01FTC | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE |
| ZXMN3B04N8 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE |
| ZXMN3B04N8TA | 功能描述:MOSFET 30V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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