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参数资料
| 型号： | ZXMN6A07FTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 60V SOT23-3 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 250 毫欧 @ 1.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 166pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
A Product Line of
Diodes ? Incorporated
ZXMN6A07F
Typical Characteristics
10
1
T = 25°C
10V 6V
4V
3.5V
3V
10
1
T = 150°C
10V 6V
V GS
3.5V
3V
2.5V
0.1
2.5V
0.1
2V
V GS
0.01
2V
0.1 1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
0.01
1.5V
0.1 1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1.8
1
V DS = 10V
T = 150°C
T = 25°C
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 10V
I D = 1.8A
V GS = V DS
I D = 250uA
R DS(on)
V GS(th)
0.1
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
V GS Gate-Source Voltage (V)
Typical Transfer Characteristics
4.5
0.4
-50 0 50 100
Tj Junction Temperature (°C)
Normalised Curves v Temperature
150
10
2.5V
3V
3.5V
4V
10
T = 150°C
T = 25°C
V GS
1
1
4.5V
0.1
0.1 1
I D Drain Current (A)
On-Resistance v Drain Current
5V
10V
T = 25°C
0.1
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
V SD Source-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
ZXMN6A07F
Document Number DS33547 Rev. 7 - 2
5 of 8
www.diodes.com
October 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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