- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录541 > ZXMN6A09GTA (Diodes Inc)MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ZXMN6A09GTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223 |
| 其它图纸： | SOT-223 SOT-223 Footprint |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 8.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24.2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1407pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN6A09GDKR |
ZXMN6A09G
Absolute maximum ratings
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Continuous drain current @ V GS =10V; T amb =25°C (b)
@ V GS =10V; T amb =70°C (b)
@ V GS =10V; T amb =25°C (a)
Pulsed drain current (c)
Continuous source current (body diode) (b)
Pulsed source current (body diode) (c)
Power dissipation at T amb =25°C (a)
Linear derating factor
Power dissipation at T amb =25°C (b)
Linear derating factor
Operating and storage temperature range
Symbol
V DSS
V GS
I D
I DM
I S
I SM
P D
P D
T j , T stg
Limit
60
±20
7.5
6
5.4
33
3.5
33
2
16
3.9
31
-55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
A
W
mW/°C
W
mW/°C
°C
Thermal resistance
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Junction to
ambient (a)
R JA
62.5
°C/W
Junction to ambient (b)
R JA
32.2
°C/W
NOTES:
(a) For a device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air
conditions.
(b) For a device surface mounted on FR4 PCB measured at t
10 sec.
(c) Repetitive rating 25mm x 25mm FR4 PCB, D=0.02 pulse width=300 s - pulse width limited by maximum junction
temperature.
Issue 3 - June 2007
? Zetex Semiconductors plc 2007
2
www.zetex.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMN6A11DN8TC | MOSFET N-CHAN 60V 8SOIC |
| ZXMN6A11ZTA | MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89 |
| ZXMN6A25DN8TA | MOSFET 2N-CH 60V 4.6A 8-SOIC |
| ZXMN6A25G | MOSFET N-CHAN 60V SOT223 |
| ZXMN6A25K | MOSFET N-CHAN 60V DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN6A09GTC | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN6A09K | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N D-PAK |
| ZXMN6A09K_07 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:60V N-channel enhancement mode MOSFET in DPAK |
| ZXMN6A09KTC | 功能描述:MOSFET MOSFET N-CH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN6A10N8TA | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。