参数资料
型号: ZXMN6A09GTA
厂商: Diodes Inc
文件页数: 5/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223
其它图纸: SOT-223
SOT-223 Footprint
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 40 毫欧 @ 8.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 24.2nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1407pF @ 40V
功率 - 最大: 2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装: SOT-223
包装: 标准包装
产品目录页面: 1473 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: ZXMN6A09GDKR
ZXMN6A09G
Typical characteristics
Issue 3 - June 2007
? Zetex Semiconductors plc 2007
5
www.zetex.com
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PDF描述
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