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参数资料
| 型号： | 2N7002E-7-F |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3 |
| 产品变化通告： | Encapsulate Change 15/May/2008 Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 240mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 欧姆 @ 250mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2N7002E
1.0
0.8
2.0
1.6
T A = -55°C
0.6
0.4
0.2
1.2
0.8
0.4
T A = 25°C
T A = 125°C
0
0
1 2 3 4
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
5
0
0
1 2 3 4 5 6 7
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
5
4
Fig. 1 On-Region Characteristics
5
4
Fig. 2 Drain Current vs. Gate-Source Voltage
3
3
V GS = 4.5V
2
I D = 250mA
2
I D = 75mA
V GS = 10V
1
1
0
0
2 4 6 8 10
0
0
0.2
0.4
0.6 0.8
1.0
5
4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 3 On Resistance vs. Gate-Source Voltage
350
300
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 On Resistance vs. Drain Current
3
2
V GS = 4.5V @ 200mA
250
200
150
V GS = 10V @ 250mA
100
1
50
0
-75 -50
-25 0 25
50 75
100 125 150
0
0
25
50
75
100 125
150
175
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance vs. Junction Temperature
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 Max Power Dissipation vs. Ambient Temperature
2N7002E
Document number: DS30376 Rev. 14 - 2
3 of 5
www.diodes.com
August 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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