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参数资料
| 型号： | 2N7002E-7-F |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3 |
| 产品变化通告： | Encapsulate Change 15/May/2008 Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 240mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 欧姆 @ 250mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2N7002E
Package Outline Dimensions
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
A
SOT23
Dim Min Max Typ
A
0.37 0.51 0.40
H
B C
B
C
D
F
G
H
1.20 1.40 1.30
2.30 2.50 2.40
0.89 1.03 0.915
0.45 0.60 0.535
1.78 2.05 1.83
2.80 3.00 2.90
K
K1
M
J
K
0.013 0.10 0.05
0.903 1.10 1.00
J
F
G
D
L
K1
L
- - 0.400
0.45 0.61 0.55
M
??
0.085 0.18 0.11
0° 8° -
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
Y
Dimensions Value (in mm)
Z
2N7002E
Document number: DS30376 Rev. 14 - 2
X
E
C
4 of 5
www.diodes.com
Z
X
Y
C
E
2.9
0.8
0.9
2.0
1.35
August 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7002ET3G | MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23 |
| 2N7002K-7 | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 |
| 2N7002KT3G | MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7002E8/10K | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 115MA I(D) | TO-236AB |
| 2N7002E9/3K | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 115MA I(D) | TO-236AB |
| 2N7002E-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:SS MOS LEAD FREE - Bulk |
| 2N7002ELT1 | 制造商:WILLAS 制造商全称:WILLAS 功能描述:310 mAmps, 60 Volts |
| 2N7002EPT | 制造商:CHENMKO 制造商全称:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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