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参数资料
| 型号： | 2N7002ET3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23 |
| 产品变化通告： | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 260mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.5 欧姆 @ 240mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.81nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 26.7pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2N7002E
TYPICAL CHARACTERISTICS
2.0
1.6
1.2
V GS = 10 V
9.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
1.2
0.8
0.8
3.0 V
0.4
T J = 25 ° C
0.4
0
0
2
4
2.5 V
2.0 V
6
0
0
T J = 125 ° C
2
T J = ? 55 ° C
4
6
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
V GS = 4.5 V
T J = 125 ° C
T J = 85 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
V GS = 10 V
T J = 125 ° C
T J = 85 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.4
0.4
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.6
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 3. On ? Resistance vs. Drain Current and
Temperature
2.2
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Temperature
I D = 0.2 A
1.2
I D = 250 mA
1.8
V GS = 4.5 V
I D = 75 mA
0.8
1.4
1.0
V GS = 10 V
0.4
2
4
6
8
10
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
http://onsemi.com
3
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 6. On ? Resistance Variation with
Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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