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参数资料
| 型号： | 2N7002ET3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23 |
| 产品变化通告： | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 260mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.5 欧姆 @ 240mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.81nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 26.7pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2N7002E
TYPICAL CHARACTERISTICS
40
5
30
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
4
T J = 25 ° C
I D = 0.25 A
3
20
2
10
C oss
1
0
0
C rss
4
8
12
16
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
10
V GS = 0 V
1
0.1
T J = 85 ° C
T J = 25 ° C
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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参数描述 |
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