参数资料
型号: 2N7633M2
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 800 mA, 60 V, 4 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封装: HERMETIC SEALED, FLAT PACK-14
文件页数: 13/16页
文件大小: 316K
代理商: 2N7633M2
IRHLA7670Z4, 2N7633M2
Pre-Irradiation
6
www.irf.com
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs.Temperature
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
N-Channel
Q1, Q3
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
I D
,
D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
60
s PULSE WIDTH -T j = 25°C
VGS
TOP
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.5V
2.25V
BOTTOM 2.0V
2.0V
0.1
1
10
100
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
I D
,
D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
60
s PULSE WIDTH
Tj = 150°C
2.0V
VGS
TOP
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.5V
2.25V
BOTTOM 2.0V
22.5
33.5
4
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
I D
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
VDS = 25V
6
0s PULSE WIDTH
TJ = 150°C
TJ = 25°C
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
TJ , Junction Temperature (°C)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
R
D
S
(o
n)
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
O
n
R
es
is
ta
nc
e
(N
or
m
al
iz
ed
)
VGS = 4.5V
ID = 0.8A
相关PDF资料
PDF描述
2N911 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
2N718 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
2N2586 30 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
2N2221 800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
2N706A 50 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
相关代理商/技术参数
参数描述
2N7635-GA 功能描述:两极晶体管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 4A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N7636-GA 功能描述:两极晶体管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 4A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N7637-GA 功能描述:两极晶体管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 7A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N7638 制造商:Motorola 功能描述:2N7638 TO92 MOT N9H1C
2N7638-GA 功能描述:两极晶体管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 8A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2