- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录41451 > 2N7633M2 800 mA, 60 V, 4 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N7633M2 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 800 mA, 60 V, 4 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | HERMETIC SEALED, FLAT PACK-14 |
| 文件页数： | 14/16页 |
| 文件大小： | 316K |
| 代理商： | 2N7633M2 |
www.irf.com
7
Pre-Irradiation
IRHLA7670Z4, 2N7633M2
N-Channel
Q1,Q3
Fig 8. Typical Threshold Voltage Vs
Temperature
Fig 7. Typical Drain-to-Source
Breakdown Voltage Vs Temperature
Fig 5. Typical On-Resistance Vs
Gate Voltage
Fig 6. Typical On-Resistance Vs
DrainCurrent
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
R
D
S
(o
n)
,
D
ra
in
-t
o
-S
ou
rc
e
O
n
R
es
is
ta
nc
e
(
)
ID = 0.8A
TJ = 25°C
TJ = 150°C
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
ID, Drain Current (A)
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
R
D
S
(o
n)
,
D
ra
in
-t
o
-S
ou
rc
e
O
n
R
es
is
ta
nc
e
(
)
TJ = 25°C
TJ = 150°C
Vgs = 4.5V
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
TJ , Temperature ( °C )
50
60
70
80
V
(B
R
)D
S
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
B
re
ak
do
w
n
V
ol
ta
ge
(V
)
ID = 1.0mA
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
TJ , Temperature ( °C )
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
G
S
(t
h)
G
at
e
th
re
sh
ol
d
V
ol
ta
ge
(V
)
ID = 50A
ID = 250A
ID = 1.0mA
ID = 150mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N911 | 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N718 | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N2586 | 30 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N2221 | 800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N706A | 50 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7635-GA | 功能描述:两极晶体管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 4A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N7636-GA | 功能描述:两极晶体管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 4A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N7637-GA | 功能描述:两极晶体管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 7A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N7638 | 制造商:Motorola 功能描述:2N7638 TO92 MOT N9H1C |
| 2N7638-GA | 功能描述:两极晶体管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 8A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。