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参数资料
| 型号： | 2N7633M2 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 800 mA, 60 V, 4 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | HERMETIC SEALED, FLAT PACK-14 |
| 文件页数： | 6/16页 |
| 文件大小： | 316K |
| 代理商： | 2N7633M2 |
IRHLA7670Z4, 2N7633M2
Pre-Irradiation
14
www.irf.com
Fig 32. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
P-Channel
Q2,Q4
Fig 33. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 31. Maximum Safe Operating Area
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
1
10
100
1000
T
he
rm
al
R
es
po
ns
e
(
Z
th
JA
)
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
P
t
DM
1
2
1
10
100
-VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
-I
D
,
D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1ms
10ms
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100s
25
50
75
100
125
150
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
10
20
30
40
50
60
E
A
S
,S
in
gl
e
P
ul
se
A
va
la
nc
he
E
ne
rg
y
(m
J)
ID
TOP
-0.25A
-0.35A
BOTTOM
-0.56A
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