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参数资料
| 型号： | 2SK3374 |
| 厂商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (pi-MOSV) |
| 中文描述： | 东芝场效应晶体管硅?频道马鞍山型（π- MOSV） |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 227K |
| 代理商： | 2SK3374 |
2SK3374
2002-08-09
3
F
f
D
D
Drain-source voltage V
DS
(V)
I
D
V
DS
D
D
Drain-source voltage V
DS
(V)
I
D
V
DS
D
D
Gate-source voltage V
GS
(V)
I
D
V
GS
D
D
Gate-source voltage V
GS
(V)
V
DS
V
GS
Drain current I
D
(A)
Y
fs
I
D
Drain current I
D
(A)
R
DS (ON)
I
D
D
R
D
0
1.0
0.2
0.6
0.4
0.8
2
0
10
4
6
8
Common source
Ta 25°C
pulse test
VGS 4.5 V
5.0
5.5
10
6.0
4.75
5.25
8.0
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Ta 25°C
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20
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VGS 4.5 V
10
6.25
5.5
5.25
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8.0
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Common source
VDS 20 V
pulse test
0
2.0
0.4
1.2
0.8
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2
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4
6
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Ta 55°C
25
100
0
20
4
12
8
16
4
0
20
8
12
16
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Ta 25°C
pulse test
ID 1 A
0.25
25
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0.01
5
10
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0.03
0.1
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1
3
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Common source
VDS 20 V
pulse test
Ta 55°C
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1
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3
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Common source
Ta 25°C
Pulse test
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5
3
10
5
1
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