参数资料
型号: 668-0003-C
厂商: Rabbit Semiconductor
文件页数: 131/228页
文件大小: 0K
描述: IC CPU RABBIT2000 30MHZ 100PQFP
标准包装: 100
系列: Rabbit 2000
处理器类型: Rabbit 2000 8-位
速度: 30MHz
电压: 2.7V,3V,3.3V,5V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 100-BQFP
供应商设备封装: 100-PQFP(14x20)
包装: 托盘
其它名称: 316-1004
668-0003
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Rabbit 2000 Microprocessor User’s Manual
the gate input and allow the oscillator to operate at a lower voltage. This oscillator will
start at about 1.2 V and operate down to about 0.75 V. The 47 k
resistor limits the short-
circuit current when the CMOS gate is switching, and thus limits the overall current con-
sumption. The 330 k
resistor is needed to limit crystal drive at higher operating voltages,
but if the 330 k
resistor is too large, it will adversely affect low-voltage operation.
Typical 32.768 kHz crystals are specified for a maximum drive level of 1 W. A modest
overdrive, perhaps 100% over this limit, will most likely have not any adverse effects
except to cause the crystal to age more rapidly than specified. Aging is a gradual change of
frequency of about 3 parts per million, and is most significant in the first few months of
operation. The drive power can be computed from P = (I2) * R, where I is the RMS AC
current and R is the effective resistance of the crystal. Typical values for R are 20 k
for
32.768 kHz turning-fork crystals. Maximum values are often specified as 35 k
or 50 k.
If the effective resistance is 20 k
, then 1 W of power is reached when I = 7 A (RMS).
It is logical to use the typical effective resistance rather than the maximum total resistance
in computing drive power. If a particular crystal has a higher resistance, this indicates that
it is losing more energy on each oscillation, perhaps because of surface contamination, and
thus requires more power to sustain the same amplitude of physical flexure of the quartz.
Thus the stress on the quartz will not be greater even though the drive power is greater for
a unit that happens to have an effective resistance of 35 k
rather than the typical value of
20 k
. The current can be measured directly with a sensitive current probe, but it is easier
to calculate the current by measuring the voltage swing at the gate input with a low-capac-
itance oscilloscope probe. The RMS voltage at this point is related to the RMS current by
the relationship
I = Vrms * w * Ctotal
where
Ctotal = C2 + Ci + Cprobe
w = 2
π * 32768
Vrms = 0.707 * Vp-p
If Ctotal = 12 pF, and the effective resistance is 20 k, then the current (in A) and the
drive power (in W) are given by
I = 2.5 * Vrms
P = 0.125 * (Vrms)
2
or
I = 1.75 * Vp-p
P = 0.061 * (Vp-p)
2
For a 5 V p-p swing, the power is 1.5 W. The power is 1.0 W for 4 V p-p, and the power is
0.5 W for 3 V p-p.
TN235, External 32.768 kHz Oscillator Circuits, provides further information on oscilla-
tor circuits and crystals.
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