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参数资料
| 型号： | 71V25781YSA166BGI |
| 厂商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 18 CACHE SRAM, 3.5 ns, PBGA119 |
| 封装： | BGA-119 |
| 文件页数： | 20/22页 |
| 文件大小： | 627K |
| 代理商： | 71V25781YSA166BGI |
6.42
IDT71V25761, IDT71V25781, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
7
Pin Configuration – 256K x 18, 119 BGA
Pin Configuration – 128K x 36, 119 BGA
Top View
NOTES:
1. R5 can either be directly connected to VDD, or connected to an input voltage
≥ VIH, or left unconnected.
2. These pins are NC for the "S" version or the JTAG signal listed for the "SA" version. Note: If NC, these pins can either be tied to VSS, VDD or left floating.
3. T7 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
4.
TRST is offered as an optional JTAG Reset if required in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to VDD.
1234
567
A
VDDQ
A6
A4
ADSP
A8
A16
VDDQ
B
NC
CS0
A3
ADSC
A9
CS1
NC
C
A7
A2
VDD
A12
A15
NC
D
I/O16
I/OP3
VSS
NC
VSS
I/OP2
I/O15
E
I/O17
I/O18
VSS
CE
VSS
I/O13
I/O14
F
VDDQ
I/O19
VSS
OE
VSS
I/O12
VDDQ
G
I/O20
I/O21
BW3
ADV
BW2
I/O11
I/O10
H
I/O22
I/O23
VSS
GW
VSS
I/O9
I/O8
J
VDDQ
VDD
NC
VDD
NC
VDD
VDDQ
K
I/O24
I/O26
VSS
CLK
VSS
I/O6
I/O7
L
I/O25
I/O27
BW4
NC
BW1
I/O4
I/O5
M
VDDQ
I/O28
VSS
BWE
VSS
I/O3
VDDQ
N
I/O29
I/O30
VSS
A1
VSS
I/O2
I/O1
P
I/O31
I/OP4
VSS
A0
VSS
I/O0
I/OP1
R
NC
A5
LBO
VDD
A13
T
NC
A10
A11
A14
NC
ZZ(3)
U
VDDQ
5297 drw 04
VDD /NC(1)
NC
,
NC/TMS(2) NC/TDI(2)
NC/TCK(2) NC/TDO(2) NC/
TRST(2,4)
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A
VDDQ
A6
A4
ADSP
A8
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VDDQ
B
NC
C
NC
CS0
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NC
A7
A2
VDD
A13
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NC
D
I/O8
NC
VSS
NC
VSS
I/O7
NC
E
NC
I/O9
VSS
CE
VSS
NC
I/O6
F
VDDQ
NC
VSS
OE
VSS
I/O5
VDDQ
G
NC
I/O10
BW2
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NC
I/O4
H
I/O11
NC
VSS
GW
VSS
I/O3
NC
J
VDDQ
VDD
NC
VDD
NC
VDD
VDDQ
K
NC
I/O12
VSS
CLK
VSS
NC
I/O2
L
I/O13
NC
BW1
I/O1
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M
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I/O14
VSS
BWE
VSS
NC
VDDQ
N
I/O15
NC
VSS
A1
VSS
I/O0
NC
P
NC
I/OP2
VSS
A0
VSS
NC
I/OP1
R
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A5
LBO
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ZZ(3)
U
VDDQ
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VDD / NC(1)
NC
VSS
,
NC/TMS(2) NC/TDI(2)
NC/TCK(2) NC/TDO(2) NC/
TRST(2,4)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 71V35761YSA183BGI8 | 128K X 36 CACHE SRAM, 3.3 ns, PBGA119 |
| 71V35781S183PF | 256K X 18 CACHE SRAM, 3.3 ns, PQFP100 |
| 7201LA20JGI | 512 X 9 OTHER FIFO, 20 ns, PQCC32 |
| 72031-111LF | 36 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, PRESS FIT |
| 72031-111 | 36 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, PRESS FIT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 71V30L25TF | 功能描述:静态随机存取存储器 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| 71V30L25TF8 | 功能描述:静态随机存取存储器 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| 71V30L25TFG | 功能描述:静态随机存取存储器 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| 71V30L25TFG8 | 功能描述:静态随机存取存储器 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| 71V30L25TFGI | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:1KX8 LOW POWER 8K 3.3V DUAL PORT RAM - Bulk |
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