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参数资料
型号： 71V25781YSA166BGI
厂商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分类： SRAM
英文描述： 256K X 18 CACHE SRAM, 3.5 ns, PBGA119
封装： BGA-119
文件页数： 21/22页
文件大小： 627K
代理商： 71V25781YSA166BGI
6.42
8
IDT71V25761, IDT71V25781, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration – 256K x 18, 165 fBGA
Pin Configuration – 128K x 36, 165 fBGA
NOTES:
1. H1 can either be directly connected to VDD, or connected to an input voltage
≥ VIH, or left unconnected.
2. These pins are NC for the "S" version or the JTAG signal listed for the "SA" version. Note: If NC, these pins can either be tied to VSS, VDD or left floating.
3. H11 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
4. Pins P11, N6, B11, A1, R2 and P2 are reserved for 9M, 18M, 36M, 72M, 144M and 288M respectively.
5.
TRST is offered as an optional JTAG Reset if required in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to VDD.
1
2
3456
789
10
11
ANC(4)
A7
CE1
BW3
BW2
CS1
BWE
ADSC
ADV
A8
NC
BNC
A6
CS0
BW4
BW1
CLK
GW
OE
ADSP
A9
NC(4)
CI/OP3
NC
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
I/OP2
DI/O17
I/O16
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O15
I/O14
EI/O19
I/O18
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O13
I/O12
FI/O21
I/O20
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O11
I/O10
GI/O23
I/O22
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O9
I/O8
HVDD(1)
NC
VDD
VSS
VDD
NC
ZZ(3)
JI/O25
I/O24
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O7
I/O6
KI/O27
I/O26
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O5
I/O4
LI/O29
I/O28
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O3
I/O2
MI/O31
I/O30
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O1
I/O0
NI/OP4
NC
VDDQ
VSS
NC/
TRST(2,5)
NC(4)
NC
VSS
VDDQ
NC
I/OP1
PNC
NC(4)
A5
A2
NC/TDI(2)
A1
NC/TDO(2)
A10
A13
A14
NC(4)
R
LBO
NC(4)
A4
A3
NC/TMS(2)
A0
NC/TCK(2)
A11
A12
A15
A16
5297 tbl 17
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234
5678
9
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ANC(4)
A7
CE1
BW2
NC
CS1
BWE
ADSC
ADV
A8
A10
BNC
A6
CS0
NC
BW1
CLK
GW
OE
ADSP
A9
NC(4)
CNC
NC
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
I/OP1
DNC
I/O8
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
I/O7
ENC
I/O9
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
I/O6
FNC
I/O10
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
I/O5
GNC
I/O11
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
I/O4
HVDD(1)
NC
VDD
VSS
VDD
NC
ZZ(3)
JI/O12
NC
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O3
NC
KI/O13
NC
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O2
NC
LI/O14
NC
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O1
NC
MI/O15
NC
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O0
NC
NI/OP2
NC
VDDQ
VSS
NC/
TRST(2,5)
NC(4)
NC
VSS
VDDQ
NC
PNC
NC(4)
A5
A2
NC/TDI(2)
A1
NC/TDO(2)
A11
A14
A15
NC(4)
R
LBO
NC(4)
A4
A3
NC/TMS(2)
A0
NC/TCK(2)
A12
A13
A16
A17
5297 tbl 17a
相关PDF资料
PDF描述
71V35761YSA183BGI8 128K X 36 CACHE SRAM, 3.3 ns, PBGA119
71V35781S183PF 256K X 18 CACHE SRAM, 3.3 ns, PQFP100
7201LA20JGI 512 X 9 OTHER FIFO, 20 ns, PQCC32
72031-111LF 36 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, PRESS FIT
72031-111 36 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, PRESS FIT
相关代理商/技术参数
参数描述
71V30L25TF 功能描述:静态随机存取存储器 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
71V30L25TF8 功能描述:静态随机存取存储器 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
71V30L25TFG 功能描述:静态随机存取存储器 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
71V30L25TFG8 功能描述:静态随机存取存储器 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
71V30L25TFGI 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:1KX8 LOW POWER 8K 3.3V DUAL PORT RAM - Bulk
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