型号: | 71V25781YSA166BGI |
厂商: | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
元件分类: | SRAM |
英文描述: | 256K X 18 CACHE SRAM, 3.5 ns, PBGA119 |
封装: | BGA-119 |
文件页数: | 5/22页 |
文件大小: | 627K |
代理商: | 71V25781YSA166BGI |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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71V35761YSA183BGI8 | 128K X 36 CACHE SRAM, 3.3 ns, PBGA119 |
71V35781S183PF | 256K X 18 CACHE SRAM, 3.3 ns, PQFP100 |
7201LA20JGI | 512 X 9 OTHER FIFO, 20 ns, PQCC32 |
72031-111LF | 36 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, PRESS FIT |
72031-111 | 36 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, PRESS FIT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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71V30L25TF | 功能描述:静态随机存取存储器 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
71V30L25TF8 | 功能描述:静态随机存取存储器 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
71V30L25TFG | 功能描述:静态随机存取存储器 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
71V30L25TFG8 | 功能描述:静态随机存取存储器 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
71V30L25TFGI | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:1KX8 LOW POWER 8K 3.3V DUAL PORT RAM - Bulk |