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参数资料
| 型号： | 72V293L6PFG |
| 厂商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | FIFO |
| 英文描述： | 64K X 18 OTHER FIFO, 4 ns, PQFP80 |
| 封装： | GREEN, PLASTIC, TQFP-80 |
| 文件页数： | 3/45页 |
| 文件大小： | 381K |
| 代理商： | 72V293L6PFG |
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11
IDT72V263/273/283/293/103/113 3.3V HIGH DENSITY SUPERSYNC IITM NARROW BUS FIFO
8K x 18, 16K x 9/18, 32K x 9/18, 64K x 9/18, 128K x 9/18, 256K x 9/18, 512K x9
COMMERCIAL AND INDUSTRIAL
TEMPERATURE RANGES
IDT72V223/233/243/253/263/273/283/293 3.3V HIGH DENSITY SUPERSYNC IITM NARROW BUS FIFO
512 x 18, 1K x 9/18, 2K x 9/18, 4K x 9/18, 8K x 9/18, 16K x 9/18, 32K x 9/18, 64K x 9/18, 128K x 9
FEBRUARY 11, 2009
Input Pulse Levels
GND to 3.0V
Input Rise/Fall Times
3ns(1)
Input Timing Reference Levels
1.5V
Output Reference Levels
1.5V
Output Load for tCLK = 10ns, 15 ns
See Figure 2a
Output Load for tCLK = 6ns, 7.5ns
See Figure 2b & 2c
AC TEST CONDITIONS
Figure 2b. AC Test Load
4666 drw04a
50
1.5V
I/O
Z0 = 50
4666 drw04b
6
5
4
3
2
1
20 30 50
80 100
200
Capacitance (pF)
tCD
(Typical,
ns)
Figure 2c. Lumped Capacitive Load, Typical Derating
ACTESTLOADS-6ns,7.5nsSpeedGrade
4666 drw04
330
30pF*
510
3.3V
D.U.T.
Figure 2a. Output Load
* Includes jig and scope capacitances.
NOTE:
1. For 166Mhz and 133MHz operation input rise/fall times are 1.5ns.
ACTESTLOADS-10ns,15nsSpeedGrades
VIH
OE
VIL
tOE & tOLZ
VCC
2
VCC
2
100mV
tOHZ
100mV
Output
Normally
LOW
Output
Normally
HIGH
VOL
VOH
VCC
2
VCC
2
4666 drw04c
Output
Enable
Output
Disable
OUTPUT ENABLE & DISABLE TIMING
NOTE:
1.
REN is HIGH.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 72V233L6BCG | 1K X 18 OTHER FIFO, 4 ns, PBGA100 |
| 72V3613L20PQF | 64 X 36 OTHER FIFO, 12 ns, PQFP132 |
| 72V3660L6PFG8 | 4K X 36 OTHER FIFO, 4 ns, PQFP128 |
| 7305-0-15-01-47-01-10-0 | BERYLLIUM COPPER, TIN LEAD (300) OVER NICKEL FINISH, PCB TERMINAL |
| 7305-0-15-15-47-27-10-0 | BERYLLIUM COPPER, GOLD (30) OVER NICKEL FINISH, PCB TERMINAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 72V293L7-5BC | 功能描述:先进先出 128Kx9/ 64Kx18 3.3V SUPER SYNC II 先进先出 RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| 72V293L7-5BCI | 功能描述:先进先出 128Kx9/ 64Kx18 3.3V SUPER SYNC II 先进先出 RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| 72V293L7-5PF | 功能描述:先进先出 128Kx9/ 64Kx18 3.3V SUPER SYNC II 先进先出 RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| 72V293L7-5PF8 | 功能描述:先进先出 128Kx9/ 64Kx18 3.3V SUPER SYNC II 先进先出 RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| 72V293L7-5PF9 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:FIFO Mem Sync Dual Depth/Width Uni-Dir 64K x 18/128K x 9 80-Pin TQFP |
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