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参数资料
| 型号： | 7782 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 32 Mbit (2Mb x 16, Dual Bank, Burst ) 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位（含2Mb × 16，双行，突发）1.8V电源快闪记忆体 |
| 文件页数： | 33/63页 |
| 文件大小： | 435K |
| 代理商： | 7782 |
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33/63
M58CR032C, M58CR032D
Table 19. DC Characteristics - Currents
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. V
DD
Dual Operation current is the sum of read and program or erase currents.
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
I
LI
Input Leakage Current
0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
±1
μA
I
LO
Output Leakage Current
0V
≤
V
OUT
≤
V
DDQ
±1
μA
I
DD1
Supply Current
Asynchronous Read (f=6MHz)
E = V
IL
, G = V
IH
3
6
mA
Supply Current
Synchronous Read (f=40MHz)
4 Word
6
13
mA
8 Word
8
14
mA
Continuous
6
10
mA
I
DD2
Supply Current
(Reset)
RP = V
SS
± 0.2V
2
10
μA
I
DD3
Supply Current (Standby)
E = V
DD
± 0.2V
10
50
μA
I
DD4
(1)
Supply Current (Program)
V
PP
= V
PPH
8
15
mA
V
PP
= V
DD
10
20
mA
Supply Current (Erase)
V
PP
= V
PPH
8
15
mA
V
PP
= V
DD
10
20
mA
I
DD5 (1,2)
Supply Current
(Dual Operations)
Program/Erase in one
Bank, Asynchronous
Read in another Bank
13
26
mA
Program/Erase in one
Bank, Synchronous
Read in another Bank
16
30
mA
I
DD6(1)
Supply Current Program/ Erase
Suspended (Standby)
E = V
DD
± 0.2V
10
50
μA
I
PP1(1)
V
PP
Supply Current (Program)
V
PP
= V
PPH
2
5
mA
V
PP
= V
DD
0.2
5
μA
V
PP
Supply Current (Erase)
V
PP
= V
PPH
2
5
mA
V
PP
= V
DD
0.2
5
μA
I
PP2
V
PP
Supply Current (Read)
V
PP
= V
PPH
100
400
μA
V
PP
≤
V
DD
0.2
5
μA
I
PP3(1)
V
PP
Supply Current (Standby)
V
PP
≤
V
DD
0.2
5
μA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 7801-301XC | HIGH SPEED, BUFFER AMPLIFIER AMP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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