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参数资料
| 型号： | A28F200BR-T |
| 厂商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 2-MBIT (128K x 16) Boot Block Flash Memory(2兆位 (128K x 16) 引导块闪速存储器) |
| 中文描述： | 2兆位（128K的× 16）引导块闪存（2兆位（128K的× 16）引导块闪速存储器） |
| 文件页数： | 26/36页 |
| 文件大小： | 440K |
| 代理商： | A28F200BR-T |
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A28F200BR
E
26
ADVANCE INFORMATION
Table 10. DC Characteristics: Automotive Temperature Operation
(Continued)
Symbol
Parameter
Notes
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
I
CCE
V
CC
Erase Current
1,4
22
45
mA
Block Erase in
Progress
V
PP
= V
PPH
1 (at 5V)
Block Erase in
Progress
V
PP
= V
PPH
2 (at 12V)
CE# = V
IH
Block Erase Suspend
V
PP
= V
PPH
1 (at 5V)
18
40
mA
I
CCES
V
CC
Erase Suspend Current
1,2
5
12.0
mA
I
PPS
V
PP
Standby Current
1
± 5
± 15
μA
V
PP
≤
V
CC
I
PPD
V
PP
Deep Power-Down Current
1
0.2
10
μA
RP# = GND ± 0.2V
I
PPR
V
PP
Read Current
1
50
200
μA
V
PP
>
V
CC
V
PP
= V
PPH
Program in Progress
V
PP
= V
PPH
1 (at 5V)
V
PP
= V
PPH
Program in Progress
V
PP
= V
PPH
2 (at 12V)
V
PP
= V
PPH
Block Erase in
Progress
V
PP
= V
PPH
1 (at 5V)
V
PP
= V
PPH
Block Erase in
Progress
V
PP
=V
PPH
2 (at 12V)
V
PP
= V
PPH
Block Erase Suspend
in Progress
RP# = V
HH
V
PP
= 12V
I
PPW
V
PP
Program Current for Word
or Byte
1
13
30
mA
8
25
mA
I
PPE
V
PP
Erase Current
1
15
25
mA
10
20
mA
I
PPES
V
PP
Erase Suspend Current
1
50
200
μA
I
RP#
RP# Boot Block Unlock Current
1,4
500
μA
I
ID
A
9
Intelligent Identifier Current
1,4
500
μA
A
9
= V
ID
V
ID
A
9
Intelligent Identifier Voltage
11.4
12.6
V
V
IL
Input Low Voltage
-0.5
0.8
V
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