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参数资料
| 型号： | A28F200BR-T |
| 厂商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 2-MBIT (128K x 16) Boot Block Flash Memory(2兆位 (128K x 16) 引导块闪速存储器) |
| 中文描述： | 2兆位（128K的× 16）引导块闪存（2兆位（128K的× 16）引导块闪速存储器） |
| 文件页数： | 30/36页 |
| 文件大小： | 440K |
| 代理商： | A28F200BR-T |
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A28F200BR
E
30
ADVANCE INFORMATION
Address Stable
Device and
Address Selection
V
IL
V
V
ADDRESSES (A)
IH
IL
V
V
IH
IL
V
V
IH
IL
V
V
CE# (E)
OE# (G)
WE# (W)
DATA (D/Q)
IH
V
IL
V
RP#(P)
OL
V
PHQV
t
High Z
Valid Output
Data
Valid
Standby
AVAV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
OH
t
GLQV
t
GLQX
t
ELQV
t
ELQX
t
AVQV
t
High Z
0542_10
Figure 9. AC Waveforms for Read Operations
Address Stable
Device
Address Selection
IH
V
IL
V
V
ADDRESSES (A)
IH
IL
V
V
IH
IL
V
V
IH
IL
V
CE#
OE#
BYTE#
DATA (D/Q)
(DQ0-DQ7)
OL
V
OH
V
High Z
Data Output
on DQ0-DQ7
Data
Valid
Standby
AVAV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AVQV
t
High Z
GLQV
ELQV
GLQX
t
t
t
AVQV
t
OH
t
Data Output
on DQ0-DQ7
DATA (D/Q)
(DQ8-DQ14)
OL
V
OH
V
High Z
Data Output
on DQ8-DQ14
High Z
(DQ15-A1)
OL
V
OH
V
High Z
High Z
Data Output
on DQ15
Address Input
FLQZ
t
ELQX
t
ELFL
t
AVFL
t
0542_11
Figure 10. BYTE# Timing Diagram for Both Read and Write Operations with V
CC
at 5V
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