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参数资料
| 型号： | A28F200BR-T |
| 厂商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 2-MBIT (128K x 16) Boot Block Flash Memory(2兆位 (128K x 16) 引导块闪速存储器) |
| 中文描述： | 2兆位（128K的× 16）引导块闪存（2兆位（128K的× 16）引导块闪速存储器） |
| 文件页数： | 28/36页 |
| 文件大小： | 440K |
| 代理商： | A28F200BR-T |
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A28F200BR
E
28
ADVANCE INFORMATION
Table 11. Capacitance (T
A
-25°C, f = 1 MHz)
Symbol
Parameter
Note
Typ
Max
Unit
Conditions
C
IN
Input Capacitance
4
6
8
pF
V
IN
= 0V
C
OUT
Output Capacitance
4
10
12
pF
V
OUT
= 0V
NOTES:
1. All currents are in RMS unless otherwise noted. Typical values at V
CC
= 5.0V, T = +25°C. These currents are valid for all
product versions (packages and speeds).
2. I
is specified with the device de-selected. If the devices is read while in erase suspend mode, current draw is the sum
of I
CCES
and I
CCR
.
3. Block erases and word/byte program operations
are
inhibited when V
PP
= V
PPLK
, and not guaranteed in the range between
V
PPH
1 and V
PPLK
.
4. Sampled, not 100% tested.
5. Automatic Power Savings (APS) reduces I
CCR
to less than 1 mA typical, in static operation.
6. CMOS Inputs are either V
CC
± 0.2V or GND ± 0.2V. TTL Inputs are either V
IL
or V
IH
.
TEST POINTS
INPUT
OUTPUT
2.0
0.8
0.8
2.0
2.4
0.45
0542-08
Figure 7. 5V Inputs and Measurement Points
C
L
OUT
V
CC
585
394
DEVICE
UNDER
TEST
0538-09
NOTE:
C
L
= 100 pF, includes Jig Capacitance
Figure 8. 5V Standard Test Configuration
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