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参数资料
| 型号： | A28F200BR-T |
| 厂商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 2-MBIT (128K x 16) Boot Block Flash Memory(2兆位 (128K x 16) 引导块闪速存储器) |
| 中文描述： | 2兆位（128K的× 16）引导块闪存（2兆位（128K的× 16）引导块闪速存储器） |
| 文件页数： | 34/36页 |
| 文件大小： | 440K |
| 代理商： | A28F200BR-T |
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A28F200BR
E
34
ADVANCE INFORMATION
ADDRESSES (A)
WE# (E)
OE# (G)
CE# (W)
DATA (D/Q)
RP# (P)
IH
V
IL
V
V
IH
IL
V
V
IH
IL
V
IH
V
IL
V
HH
V
V
6.5V
IL
V
IN
D
IN
A
IN
A
AVAV
t
IN
D
Valid
SRD
IN
D
QVPH
t
PHHEH
t
High Z
EHDX
t
IH
V
IL
V
V (V)
1
2
3
4
6
5
EHAX
t
EHQV1,2,3,4
t
EHEL
t
EHWH
t
ELEH
t
t
DVEH
VPEH
t
QVVL
t
PHWL
t
WLEL
t
AVEH
t
PPLK
V
PPH
V
1
2
PPH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
WP#
0542_13
Figure 12. Alternate AC Waveforms for Program and Erase Operations (CE#-Controlled Writes)
Table 15. Extended Temperature Operations - Erase and Program Timings
Parameter
V
PP
= 5V ±10%
Typ
V
PP
= 12V ±5%
Typ
Unit
Max
Max
Boot/Parameter Block Erase Time
0.8
7.8
0.34
4.0
s
Main Block Erase Time
1.9
15.4
1.1
7.1
s
Main Block Write Time (Byte Mode)
1.4
16.8
1.2
6.8
s
Main Block Write Time (Word Mode)
0.9
8.4
0.6
3.4
s
All numbers are sampled, not 100% tested.
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