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参数资料
| 型号： | A28F200BR-T |
| 厂商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 2-MBIT (128K x 16) Boot Block Flash Memory(2兆位 (128K x 16) 引导块闪速存储器) |
| 中文描述： | 2兆位（128K的× 16）引导块闪存（2兆位（128K的× 16）引导块闪速存储器） |
| 文件页数： | 29/36页 |
| 文件大小： | 440K |
| 代理商： | A28F200BR-T |
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5.3
A28F200BR
29
ADVANCE INFORMATION
AC Characteristics
Table 12. AC Characteristics: Read Only Operations
(1)
(Automotive Temperature)
Symbol
Parameter
Note
Min
Max
Unit
t
AVAV
Read Cycle Time
80
ns
t
AVQV
Address to Output Delay
80
ns
t
ELQV
CE# to Output Delay
2
80
ns
t
PHQV
RP# to Output Delay
550
ns
t
GLQV
OE# to Output Delay
2
40
ns
t
ELQX
CE# to Output in Low Z
3
0
ns
t
EHQZ
CE# to Output in High Z
3
20
ns
t
GLQX
OE# to Output in Low Z
3
0
ns
t
GHQZ
OE# to Output in High Z
3
20
ns
t
OH
Output Hold from Address
CE#, or OE# Change
Whichever Occurs First
3
0
0
ns
t
ELFL
t
ELFH
CE# Low to BYTE High or Low
3
5
ns
t
AVFL
Address to BYTE# High or Low
3
5
ns
t
FLQV
t
FHQV
BYTE# to Output Delay
3,4
80
ns
t
FLQZ
BYTE# Low to Output in
High Z
3
30
ns
NOTES:
1.
2.
3.
4.
5.
See AC Input/Output Reference Waveform for timing measurements.
OE# may be delayed up to t
CE
- t
OE
after the falling edge of CE# without impact on t
CE
.
Sampled, but not 100% tested.
t
FLQV
, BYTE# switching low to valid output delay will be equal to t
AVQV
, measured from the time DQ
15
/A
-1
becomes valid.
See 5V Standard Test Configuration. (Figure 9)
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