参数资料
| 型号： | A3PE600-PQG208I |
| 厂商： | Microsemi SoC |
| 文件页数： | 93/162页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 600000 GATES 208-PQFP |
| 标准包装： | 24 |
| 系列： | ProASIC3E |
| RAM 位总计： | 110592 |
| 输入/输出数： | 147 |
| 门数： | 600000 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 208-BFQFP |
| 供应商设备封装： | 208-PQFP（28x28） |
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ProASIC3E DC and Switching Characteristics
2-22
Revision 13
The length of time an I/O can withstand IOSH/IOSL events depends on the junction temperature. The
reliability data below is based on a 3.3 V, 36 mA I/O setting, which is the worst case for this type of
analysis.
For example, at 100°C, the short current condition would have to be sustained for more than six months
to cause a reliability concern. The I/O design does not contain any short circuit protection, but such
protection would only be needed in extremely prolonged stress conditions.
Table 2-21 I/O Short Currents IOSH/IOSL
Drive Strength
IOSH (mA)*
IOSL (mA)*
3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS
4 mA
25
27
8 mA
51
54
12 mA
103
109
16 mA
132
127
24 mA
268
181
3.3 V LVCMOS Wide Range
100 A
Same as regular
3.3 V LVCMOS
Same as regular
3.3 V LVCMOS
2.5 V LVCMOS
4 mA
16
18
8 mA
32
37
12 mA
65
74
16 mA
83
87
24 mA
169
124
1.8 V LVCMOS
2 mA
9
11
4 mA
17
22
6 mA
35
44
8 mA
45
51
12 mA
91
74
16 mA
91
74
1.5 V LVCMOS
2 mA
13
16
4 mA
25
33
6 mA
32
39
8 mA
66
55
12 mA
66
55
Notes:
1. TJ = 100°C
2. Applicable to 3.3 V LVCMOS Wide Range. IOSL/IOSH dependent on the I/O buffer drive strength
selected for wide range applications. All LVCMOS 3.3 V software macros support LVCMOS 3.3 V wide
range as specified in the JESD8b specification.
Table 2-22 Duration of Short Circuit Event Before Failure
Temperature
Time before Failure
–40°C
> 20 years
0°C
> 20 years
25°C
> 20 years
70°C
5 years
85°C
2 years
100°C
6 months
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