参数资料
| 型号： | A3PN060-Z1VQG100I |
| 厂商： | Microsemi SoC |
| 文件页数： | 25/114页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA NANO 60K GATES 100-VQFP |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | ProASIC3 nano |
| RAM 位总计： | 18432 |
| 输入/输出数： | 71 |
| 门数： | 60000 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-TQFP |
| 供应商设备封装： | 100-VQFP（14x14） |
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ProASIC3 nano DC and Switching Characteristics
2-4
Revision 11
Internal Power-Up Activation Sequence
1. Core
2. Input buffers
3. Output buffers, after 200 ns delay from input buffer activation
Figure 2-1 I/O State as a Function of VCCI and VCC Voltage Levels
Region 1: I/O buffers are OFF
Region 2: I/O buffers are ON.
I/Os are functional but slower because
VCCI / VCC are below specification.
For the same reason, input
buffers do not meet VIH / VIL levels, and
output buffers do not meet VOH / VOL levels.
Min VCCI datasheet specification
voltage at a selected I/O
standard; i.e., 1.425 V or 1.7 V
or 2.3 V or 3.0 V
VCC
VCC = 1.425 V
Region 1: I/O Buffers are OFF
Activation trip point:
Va = 0.85 V ± 0.25 V
Deactivation trip point:
Vd = 0.75 V ± 0.25 V
Activation trip point:
Va = 0.9 V ± 0.3 V
Deactivation trip point:
Vd = 0.8 V ± 0.3 V
VCC = 1.575 V
Region 5: I/O buffers are ON
and power supplies are within
specification.
I/Os meet the entire datasheet
and timer specifications for
speed, VIH / VIL , VOH / VOL , etc.
Region 4: I/O
buffers are ON.
I/Os are functional
but slower because VCCI
is below specification. For the
same reason, input buffers do
not meet VIH / VIL levels, and output
buffers do not meet VOH/VOL levels.
where VT can be from 0.58 V to 0.9 V (typically 0.75 V)
VCCI
Region 3: I/O buffers are ON.
I/Os are functional; I/O DC
specifications are met,
but I/Os are slower because
the VCC is below specification.
VCC = VCCI + VT
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PDF描述 |
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| A3PN060-1VQ100I | IC FPGA NANO 60K GATES 100-VQFP |
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参数描述 |
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