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参数资料
型号： A3PN060-Z1VQG100I
厂商： Microsemi SoC
文件页数： 47/114页
文件大小： 0K
描述： IC FPGA NANO 60K GATES 100-VQFP
标准包装： 90
系列： ProASIC3 nano
RAM 位总计： 18432
输入/输出数： 71
门数： 60000
电源电压： 1.425 V ~ 1.575 V
安装类型： 表面贴装
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 100-TQFP
供应商设备封装： 100-VQFP（14x14）
ProASIC3 nano DC and Switching Characteristics
2-24
Revision 11
Table 2-31 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS Low Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 3.0 V
Software Default Load at 10 pF for A3PN020, A3PN015, A3PN010
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
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tEOUT
tZL
tZH
tLZ
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5.21
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ns
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ns
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Std.
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Std.
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3.29
3.09
1.95
2.25
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-5 for derating values.
Table 2-32 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS High Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 3.0 V
Software Default Load at 10 pF for A3PN020, A3PN015, A3PN010
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
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tZL
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Units
2 mA
Std.
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1.67
1.95
2.34
ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-5 for derating values.
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PDF描述
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参数描述
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