参数资料
| 型号： | A3PN060-Z1VQG100I |
| 厂商： | Microsemi SoC |
| 文件页数： | 98/114页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA NANO 60K GATES 100-VQFP |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | ProASIC3 nano |
| RAM 位总计： | 18432 |
| 输入/输出数： | 71 |
| 门数： | 60000 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-TQFP |
| 供应商设备封装： | 100-VQFP（14x14） |
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ProASIC3 nano DC and Switching Characteristics
2-70
Revision 11
Embedded FlashROM Characteristics
Timing Characteristics
Figure 2-39 Timing Diagram
A0
A1
tSU
tHOLD
tSU
tHOLD
tSU
tHOLD
tCKQ2
CLK
Address
Data
D0
D1
Table 2-77 Embedded FlashROM Access Time
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V
Parameter
Description
–2
–1
Std.
Units
tSU
Address Setup Time
0.53
0.61
0.71
ns
tHOLD
Address Hold Time
0.00
ns
tCK2Q
Clock to Out
16.23
18.48
21.73
ns
FMAX
Maximum Clock Frequency
15.00
MHz
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PDF描述 |
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