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参数资料
型号： A3PN060-Z1VQG100I
厂商： Microsemi SoC
文件页数： 50/114页
文件大小： 0K
描述： IC FPGA NANO 60K GATES 100-VQFP
标准包装： 90
系列： ProASIC3 nano
RAM 位总计： 18432
输入/输出数： 71
门数： 60000
电源电压： 1.425 V ~ 1.575 V
安装类型： 表面贴装
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 100-TQFP
供应商设备封装： 100-VQFP（14x14）
ProASIC3 nano DC and Switching Characteristics
2-26
Revision 11
Timing Characteristics
Table 2-34 3.3 V LVCMOS Wide Range Low Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 2.7 V
Software Default Load at 35 pF for A3PN060, A3PN125, A3PN250
Drive
Strength
Equivalent
Software
Default
Drive
Strength
Option1
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
Units
100 A
2 mA
Std.
0.60
14.73 0.04
1.57 2.18
0.43
14.73 13.16
3.26
3.38
ns
–1
0.51
12.53 0.04
1.33 1.85
0.36
12.53 11.19
2.77
2.87
ns
–2
0.45
11.00 0.03
1.17 1.62
0.32
11.00 9.83
2.43
2.52
ns
100 A
4 mA
Std.
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1.17 1.62
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11.00 9.83
2.43
2.52
ns
100 A
6 mA
Std.
0.60
10.38 0.04
1.57 2.18
0.43
10.38 9.21
3.72
4.16
ns
–1
0.51
8.83
0.04
1.33 1.85
0.36
8.83
7.83
3.17
3.54
ns
–2
0.45
7.75
0.03
1.17 1.62
0.32
7.75
6.88
2.78
3.11
ns
100 A
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0.32
7.75
6.88
2.78
3.11
ns
Notes:
1. The minimum drive strength for any LVCMOS 3.3 V software configuration when run in wide range is ±100 A. Drive
strength displayed in the software is supported for normal range only. For a detailed I/V curve, refer to the IBIS models.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-5 for derating values.
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PDF描述
A3PN060-1VQ100I IC FPGA NANO 60K GATES 100-VQFP
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A3P125-1QNG132 IC FPGA 1KB FLASH 125K 132-QFN
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