参数资料
型号: A3PN060-Z1VQG100I
厂商: Microsemi SoC
文件页数: 59/114页
文件大小: 0K
描述: IC FPGA NANO 60K GATES 100-VQFP
标准包装: 90
系列: ProASIC3 nano
RAM 位总计: 18432
输入/输出数: 71
门数: 60000
电源电压: 1.425 V ~ 1.575 V
安装类型: 表面贴装
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 100-TQFP
供应商设备封装: 100-VQFP(14x14)
ProASIC3 nano Flash FPGAs
Revision 11
2-35
Table 2-48 1.8 V LVCMOS Low Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 1.7 V
Software Default Load at 10 pF for A3PN020, A3PN015, A3PN010
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
Units
2 mA
Std.
0.60
8.52
0.04
1.35
1.90
0.43
7.99
8.52
2.23
1.78
ns
–1
0.51
7.25
0.04
1.15
1.61
0.36
6.80
7.25
1.90
1.51
ns
–2
0.45
6.36
0.03
1.01
1.42
0.32
5.97
6.36
1.67
1.33
ns
4 mA
Std.
0.60
6.59
0.04
1.35
1.90
0.43
6.44
6.59
2.63
2.78
ns
–1
0.51
5.60
0.04
1.15
1.61
0.36
5.48
5.60
2.23
2.37
ns
–2
0.45
4.92
0.03
1.01
1.42
0.32
4.81
4.92
1.96
2.08
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-5 for derating values.
Table 2-49 1.8 V LVCMOS High Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 1.7 V
Software Default Load at 10 pF for A3PN020, A3PN015, A3PN010
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
Units
2 mA
Std.
0.60
4.79
0.04
1.35
1.90
0.43
4.27
4.79
2.23
1.84
ns
–1
0.51
4.08
0.04
1.15
1.61
0.36
3.63
4.08
1.89
1.57
ns
–2
0.45
3.58
0.03
1.01
1.42
0.32
3.19
3.58
1.66
1.37
ns
4 mA
Std.
0.60
3.22
0.04
1.35
1.90
0.43
3.24
3.22
2.62
2.89
ns
–1
0.51
2.74
0.04
1.15
1.61
0.36
2.75
2.74
2.23
2.45
ns
–2
0.45
2.40
0.03
1.01
1.42
0.32
2.42
2.40
1.95
2.15
ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-5 for derating values.
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PDF描述
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