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参数资料
| 型号： | ADN2850BCPZ250 |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 4/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DGTL RHEO DL 1024POS 16LFCSP |
| 产品变化通告： | Metal Edit Change 03/Feb/2012 |
| 标准包装： | 1 |
| 接片： | 1024 |
| 电阻（欧姆）： | 250k |
| 电路数： | 2 |
| 温度系数： | 标准值 35 ppm/°C |
| 存储器类型： | 非易失 |
| 接口： | 4 线 SPI（芯片选择） |
| 电源电压： | 3 V ~ 5.5 V，±2.25 V ~ 2.75 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-VQFN 裸露焊盘，CSP |
| 供应商设备封装： | 16-LFCSP |
| 包装： | 托盘 |
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ADN2850
Data Sheet
Rev. E | Page 12 of 28
0
2
6
0
-0
2
3
CS (5V/DIV)
CLK (5V/DIV)
SDI (5V/DIV)
IDD (2mA/DIV)
VDD = 5V
TA = 25°C
Figure 18. IDD vs. Time when Storing Data to EEMEM
CODE (Decimal)
0
2
6
0
-0
2
5
100
1
0.01
1023
T
H
E
O
R
E
C
T
IC
A
L
(I
W
B
_
M
A
X
–
m
A
)
0.1
10
896
768
640
512
384
128
256
0
TA = 25°C
RWB= 25k
RWB= 250k
Figure 19. IWB_MAX vs. Code
TEST CIRCUITS
Figure 20 to Figure 24 define the test conditions used in the Specifications section.
W
B
IW
DUT
VMS
0
2
6
0
-0
2
6
Figure 20. Resistor Position Nonlinearity Error (Rheostat Operation; R-INL, R-DNL)
W
B
IW = VDD/RNOMINAL
VMS1
VW
RW = VMS1/IW
0
2
6
0
-0
2
8
Figure 21. Wiper Resistance
W
B
VMS
V+ = VDD ±10%
PSRR (dB) = 20 LOG
ΔVDD
(
)
~
VDD
PSS (%/%) =
V+
ΔVMS
ΔVDD%
ΔVMS%
0
2
6
0
-0
2
9
IW = VDD/(RNOMINAL / 2)
CODE = Mid Scale
Figure 22. Power Supply Sensitivity (PSS, PSRR)
+
–
DUT
0.1V
VSS TO VDD
RSW =
0.1V
ISW
W
B
0
2
6
0
-0
3
Figure 23. Incremental On Resistance
DUT
VSS
ICM
W
B
VDD
NC
VCM
GND
NC = NO CONNECT
0
2
6
0
-0
3
4
Figure 24. Common-Mode Leakage Current
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PDF描述 |
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