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参数资料
| 型号： | ADP1740ACPZ-1.1-R7 |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 13/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG LDO 1.1V 2A 16LFCSP |
| 标准包装： | 1 |
| 稳压器拓扑结构： | 正，固定式 |
| 输出电压： | 1.1V |
| 输入电压： | 1.6 V ~ 3.6 V |
| 稳压器数量： | 1 |
| 电流 - 输出： | 2A（最小值） |
| 电流 - 限制（最小）： | 2.4A |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-VQFN 裸露焊盘，CSP |
| 供应商设备封装： | 16-LFCSP-VQ EP（4x4） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 794 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ADP1740ACPZ-1.1-R7DKR |
Data Sheet
ADP1740/ADP1741
1
V IN
1V/DIV
T
V OUT
500mV/DIV
REVERSE CURRENT PROTECTION FEATURE
The ADP1740/ADP1741 have additional circuitry to protect
against reverse current flow from VOUT to VIN. For a typical
LDO with a PMOS pass device, there is an intrinsic body diode
between VIN and VOUT. When V IN is greater than V OUT , this
diode is reverse-biased. If V OUT is greater than V IN , the intrinsic
diode becomes forward-biased and conducts current from
PG
1V/DIV
2
V OUT = 1.5V
C IN = C OUT = 4.7μF
CH1 1.0V BW CH2 500mV BW M40.0μs A CH3 900mV
CH3 1.0V BW T 50.40%
Figure 30. Typical PG Behavior vs. V OUT , V IN Rising (V OUT = 1.5 V)
VOUT to VIN, potentially causing destructive power dissipation.
The reverse current protection circuitry detects when V OUT is
greater than V IN and reverses the direction of the intrinsic diode
connection, reverse-biasing the diode. The gate of the PMOS
pass device is also connected to VOUT, keeping the device off.
differential.
4000
3500
T
1
V IN
1V/DIV
V OUT
3000
2500
2000
500mV/DIV
PG
1500
1000
500
2
V OUT = 1.5V
C IN = C OUT = 4.7μF
1V/DIV
0
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
V OUT – V IN (V)
CH1 1.0V BW
CH3 1.0V BW
CH2 500mV BW M40.0μs
T 50.40%
A CH3
900mV
Figure 32. Reverse Current vs. V OUT ? V IN
Figure 31. Typical PG Behavior vs. V OUT , V IN Falling (V OUT = 1.5 V)
Rev. F | Page 13 of 20
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