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参数资料
| 型号： | ADSP-BF544MBBCZ-5M |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 31/100页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DSP 16BIT 533MHZ MDDR 400CBGA |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | Blackfin® |
| 类型： | 定点 |
| 接口： | CAN，SPI，SSP，TWI，UART |
| 时钟速率： | 533MHz |
| 非易失内存： | 外部 |
| 芯片上RAM： | 196kB |
| 电压 - 输入/输出： | 2.50V，3.30V |
| 电压 - 核心： | 1.25V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 400-LFBGA，CSPBGA |
| 供应商设备封装： | 400-CSPBGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
| 配用： | ADZS-BF548-EZLITE-ND - KIT EZLITE ADZS-BF548 |
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Rev. C
|
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|
February 2010
ADSP-BF542/ADSP-BF544/ADSP-BF547/ADSP-BF548/ADSP-BF549
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Nonautomotive 400 MHz
1
All Other Devices
2
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Unit
VOH
High Level Output
Voltage for 3.3 V I/O
3
VDDEXT = 2.7 V,
IOH = –0.5 mA
2.4
V
High Level Output
Voltage for 2.5 V I/O3
VDDEXT = 2.25 V,
IOH = –0.5 mA
2.0
V
VOHDDR
High Level Output
Voltage for DDR
SDRAM4
VDDDDR = 2.5 V,
IOH = –8.1 mA
1.74
V
High Level Output
Voltage for Mobile
DDR SDRAM
VDDDDR = 1.8 V,
IOH = –0.1 mA
1.62
V
VOL
Low Level Output
Voltage for 3.3 V I/O
VDDEXT = 2.7 V,
IOL = 2.0 mA
0.4
V
Low Level Output
Voltage for 2.5 V I/O3
VDDEXT = 2.25 V,
IOL = 2.0 mA
0.4
V
VOLDDR
Low Level Output
Voltage for DDR
SDRAM4
VDDDDR = 2.5 V,
IOL = 8.1 mA
0.56
V
Low Level Output
Voltage for Mobile
DDR SDRAM
VDDDDR = 1.8 V,
IOL = 0.1 mA
0.18
V
IIH
High Level Input
Current
5
VDDEXT =3.6 V,
VIN = VIN Max
10.0
μA
IIHP
High Level Input
Current6
VDDEXT =3.6 V,
VIN =VIN Max
50.0
μA
IIHDDR_VREF
High Level Input
Current for DDR
SDRAM
7
VDDDDR =2.7 V,
VIN = 0.51 × VDDDDR
30.0
μA
High Level Input
Current for Mobile
DDR SDRAM7
VDDDDR =1.95 V,
VIN = 0.51 × VDDDDR
30.0
μA
IIL
8
Low Level Input
Current
VDDEXT =3.6 V, VIN = 0 V
10.0
μA
IOZH
9
Three-State Leakage
Current
10
VDDEXT =3.6 V,
VIN = VIN Max
10.0
μA
IOZL
11
Three-State Leakage
Current
VDDEXT =3.6 V, VIN = 0 V
10.0
μA
CIN
Input Capacitance
fIN = 1 MHz,
TAMBIENT = 25°C,
VIN = 2.5 V
4
12
8
pF
IDDDEEPSLEEP
13
VDDINT Current in Deep
Sleep Mode
VDDINT = 1.0 V,
fCCLK = 0 MHz,
fSCLK = 0 MHz,
TJ = 25°C, ASF = 0.00
22
37
mA
IDDSLEEP
VDDINT Current in Sleep
Mode
VDDINT = 1.0 V,
fSCLK = 25 MHz,
TJ =25°C
35
50
mA
IDD-IDLE
VDDINT Current in Idle
VDDINT = 1.0 V,
fCCLK = 50 MHz,
TJ = 25°C,
ASF = 0.47
44
59
mA
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