参数资料
| 型号： | AGLE600V5-FGG484I |
| 厂商： | Microsemi SoC |
| 文件页数： | 65/166页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 1KB FLASH 600K 484-FBGA |
| 标准包装： | 60 |
| 系列： | IGLOOe |
| 逻辑元件/单元数： | 13824 |
| RAM 位总计： | 110592 |
| 输入/输出数： | 270 |
| 门数： | 600000 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 484-BGA |
| 供应商设备封装： | 484-FPBGA（23x23） |
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Revision 13
5-1
5 – Datasheet Information
List of Changes
The following table lists critical changes that were made in each revision of the IGLOOe datasheet.
Revision
Changes
Page
Revision 13
(December 2012)
The "IGLOOe Ordering Information" section has been updated to mention "Y" as "Blank"
mentioning "Device Does Not Include License to Implement IP Based on the
Cryptography Research, Inc. (CRI) Patent Portfolio" (SAR 43176).
Also added the missing heading ’Supply Voltage’ under V2.
The note in Table 2-143 IGLOOe CCC/PLL Specification and Table 2-144 IGLOOe
CCC/PLL Specification referring the reader to SmartGen was revised to refer instead to
the online help associated with the core (SAR 42568).
Live at Power-Up (LAPU) has been replaced with ’Instant On’.
NA
Revision 12
(September 2012)
The "Security" section was modified to clarify that Microsemi does not support
read-back of programmed data.
Libero Integrated Design Environment (IDE) was changed to Libero System-on-Chip
(SoC) throughout the document (SAR 40272).
N/A
Revision 11
(August 2012)
The drive strength, IOL, and IOH value for 3.3 V GTL and 2.5 V GTL was changed from
25 mA to 20 mA in the following tables (SAR 37180):
Also added note stating "Output drive strength is below JEDEC specification." for Tables 2-
25, 2-26, and 2-28.
Additionally, the IOL and IOH values for 3.3 V GTL+ and 2.5 V GTL+ were corrected
from 51 to 35 (for 3.3 V GTL+) and from 40 to 33 (for 2.5 V GTL+) in table Table 2-21
(SAR 39713).
In Table 2-117 Minimum and Maximum DC Input and Output Levels, VIL and VIH were
revised so that the maximum is 3.6 V for all listed values of VCCI (SAR 37183).
The following sentence was removed from the "VMVx I/O Supply Voltage (quiet)"
section in the "Pin Descriptions and Packaging" section: "Within the package, the VMV
plane is decoupled from the simultaneous switching noise originating from the output
buffer VCCI domain" and replaced with “Within the package, the VMV plane biases the
input stage of the I/Os in the I/O banks” (SAR 38318). The datasheet mentions that
"VMV pins must be connected to the corresponding VCCI pins" for an ESD
enhancement.
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