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参数资料
| 型号： | AM29DS163DT120WAK |
| 厂商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 16 Megabit CMOS 1.8 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位的CMOS 1.8伏只，同时作业快闪记忆体 |
| 文件页数： | 35/50页 |
| 文件大小： | 1682K |
| 代理商： | AM29DS163DT120WAK |
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Am29DS163D
35
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
TEST CONDITIONS
Table 16. Test Specifications
Key To Switching Waveforms
C
L
Device
Under
Test
Note:
Diodes are IN3064 or equivalent
Figure 11. Test Setup
Test Condition
100, 120
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
30
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Levels
0.0–2.0 V
V
Input timing measurement
reference levels
1.0
V
Output timing measurement
reference levels
1.0
V
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
2.0 V
0.0 V
1.0 V
1.0 V
Output
Measurement Level
Input
Figure 12. Input Waveforms and Measurement Levels
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PDF描述 |
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