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参数资料
| 型号： | AM29DS163DT120WAK |
| 厂商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 16 Megabit CMOS 1.8 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位的CMOS 1.8伏只，同时作业快闪记忆体 |
| 文件页数： | 47/50页 |
| 文件大小： | 1682K |
| 代理商： | AM29DS163DT120WAK |
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Am29DS163D
47
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
AC CHARACTERISTICS
t
GHEL
t
WS
OE#
CE#
WE#
RESET#
t
DS
Data
t
AH
Addresses
t
DH
t
CP
DQ7#
D
OUT
t
WC
t
AS
t
CPH
PA
Data# Polling
A0 for program
55 for erase
t
RH
t
WHWH1 or 2
RY/BY#
t
WH
PD for program
30 for sector erase
10 for chip erase
555 for program
2AA for erase
PA for program
SA for sector erase
555 for chip erase
t
BUSY
Notes:
1. Figure indicates last two bus cycles of a program or erase operation.
2. PA = program address, SA = sector address, PD = program data.
3. DQ7# is the complement of the data written to the device. D
OUT
is the data written to the device.
4. Waveforms are for the word mode.
Figure 26. Alternate CE# Controlled Write (Erase/Program) Operation Timings
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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